高效率开关模式功率放大器
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摘要
一种开关模式功率放大器包括能对超过1.0GHz的输入信号作出响应的晶体管，所述晶体管包括连接到地的一个端子和导电地连接到电源的另一个端子。谐振电路将第二端子连接到输出，该输出具有跨接在输出和地之间的电阻性负载。当该晶体管导通时，第二端子连接到地，当该晶体管截止时，从电源到第二端子的电流被引导至晶体管的内部电容中，使得第二端子上的电压升高到最大值并随后降低，第二端子处的电压通过谐振电路连接到输出端子。在优选实施例中，晶体管包括化合物半导体场效应晶体管，第一端子为源极端子，第二端子为漏极端子。场效应晶体管优选为化合物高电子迁移率晶体管(HEMT)或化合物MESFET，不过在其他实施例中，晶体管可以是化合物LDMOS、化合物双极晶体管或化合物MOSFET。
基本信息
专利标题 ：
高效率开关模式功率放大器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101107775A
申请号 ：
CN200580047180.8
公开（公告）日 ：
2008-01-16
申请日 ：
2005-12-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
W·L·普里布尔J·W·米利根R·S·彭杰利
申请人 ：
克里公司
申请人地址 ：
美国北卡罗来纳州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
王岳
优先权 ：
CN200580047180.8
主分类号 ：
H03F3/217
IPC分类号 ：
H03F3/217
法律状态
2010-05-12 ：
授权
2008-03-05 ：
实质审查的生效
2008-01-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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