改进低能量大电流带状束注入机中的束中和
授权
摘要
现代半导体集成电路的制造往往要求涉及大电流低能量带电搀杂剂原子的注入步骤。当使用这样的射束时，添加用于中和空间电荷的影响的电子或负离子对于获得成功往往是有决定性意义的。在没有这种补充的情况下，离子束会“爆炸”，导致强度的损失和束聚焦的破坏。在本公开中，提供用于引入低能量电子和负离子并将其约束在磁场偏转区域内的带状束边界内的方法。描述了用于基于减少电子丢失、等离子体桥接和二次电子产生的来保持中和状态的设备。作为向偏转区域的等离子体引入的一部分，新颖的低温抽运设备选择性地从等离子体流中去除中性原子。
基本信息
专利标题 ：
改进低能量大电流带状束注入机中的束中和
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101257944A
申请号 ：
CN200580048222.X
公开（公告）日 ：
2008-09-03
申请日 ：
2005-12-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
肯尼思·H·珀泽诺曼·L·特纳
申请人 ：
瓦里安半导体设备公司
申请人地址 ：
美国马萨诸塞州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
曾祥夌
优先权 ：
CN200580048222.X
主分类号 ：
A61N5/00
IPC分类号 ：
A61N5/00 G21G5/00
IPC结构图谱
A
A部——人类生活必需
A61
医学或兽医学；卫生学
A61N
电疗；磁疗；放射疗；超声波疗
A61N5/00
放射疗
法律状态
2011-07-06 ：
授权
2008-10-29 ：
实质审查的生效
2008-09-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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