半导体器件及其制造方法

专利申请权、专利权的转移

摘要

本发明提供一种能够将金属布线和导电插塞良好地进行电连接的半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法包括：在硅衬底30上形成第一绝缘膜45的工序；在第一绝缘膜45上形成电容器Q的工序；形成覆盖电容器Q的第二绝缘膜55的工序；在第二绝缘膜55上形成金属布线65的工序；形成第一电容器保护绝缘膜66的工序，该第一电容器保护绝缘膜覆盖金属布线65和第二绝缘膜55；在金属布线65的旁边形成绝缘侧壁67a的工序；在绝缘侧壁67a上形成第三绝缘膜68的工序；以绝缘侧壁67a的蚀刻速度比第三绝缘膜68的蚀刻速度慢的条件蚀刻第三绝缘膜68，以此形成孔74a的工序；在孔74a内形成导电插塞77的工序。

基本信息

专利标题：

半导体器件及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101278390A

申请号：

CN200580051740.7

公开（公告）日：

2008-10-01

申请日：

2005-09-30

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

菊池秀明永井孝一

申请人：

富士通株式会社

申请人地址：

日本神奈川县

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

张龙哺

优先权：

CN200580051740.7

主分类号：

H01L21/8246

IPC分类号：

H01L21/8246 H01L27/105

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/70

由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

H01L21/77

在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理

H01L21/78

把衬底连续地分成多个独立的器件

H01L21/82

制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路

H01L21/822

衬底是采用硅工艺的半导体的

H01L21/8232

场效应工艺

H01L21/8234

MIS工艺

H01L21/8239

存储器结构

H01L21/8246

只读存储器结构

法律状态

2020-08-18 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/8246
登记生效日 : 20200730
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 富士通半导体股份有限公司
变更后权利人 : 富士通半导体存储方案股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本神奈川县横浜市
变更后权利人 : 日本神奈川县

2010-11-10 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101038220758
IPC(主分类) : H01L 21/8246
专利号 : ZL2005800517407
变更事项 : 专利权人
变更前 : 富士通微电子株式会社
变更后 : 富士通半导体股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川县横浜市
变更后 : 日本神奈川县横浜市

2010-11-10 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101038220757
IPC(主分类) : H01L 21/8246
专利号 : ZL2005800517407
变更事项 : 专利权人
变更前 : 富士通微电子株式会社
变更后 : 富士通微电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本东京都
变更后 : 日本神奈川县横浜市

2009-10-28 ：

授权

2008-12-10 ：

专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)

变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 富士通株式会社
变更后权利人 : 富士通微电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本神奈川县
变更后权利人 : 日本东京都
登记生效日 : 20081107

2008-11-26 ：

实质审查的生效

2008-10-01 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

暂无PDF文件可下载