发射极开关结构的驱动电路
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及一种用于晶体管(BJT,MOS)的发射极开关结构(21)的驱动电路(30),该发射极开关结构(21)具有与驱动电路(30)连接的至少一个第一控制端子和一个第二控制端子(X1,X2)以形成接着具有相应的集电极、源极和栅极端子(C,S,G)的受控发射极开关器件(35)。所述驱动电路(30)包括至少一个插入在所述集电极端子(C)和电容器(C1)的第一端之间的IGBT器件(22),该电容器(C1)的第二端与所述第一控制端子(X1)相连,该IGBT器件(22)接着具有通过第一电阻性元件(R1)与所述栅极端子(G)连接的第三控制端子(X3),和插入在该栅极端子(G)和该第二控制端子(X2)之间的第二电阻性元件(R2)。该驱动电路(30)还包括附加电源(Va),该附加电源插入在电容器(C1)的第一端和第二端之间以保证其正确偏置。
基本信息
专利标题 :
发射极开关结构的驱动电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101326717A
申请号 :
CN200580052292.2
公开(公告)日 :
2008-12-17
申请日 :
2005-12-13
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
R·斯科洛M·纳尼亚
申请人 :
意法半导体股份有限公司
申请人地址 :
意大利布里安扎
代理机构 :
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 :
王庆海
优先权 :
CN200580052292.2
主分类号 :
H03K17/0412
IPC分类号 :
H03K17/0412 H03K17/567
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法律状态
2009-08-19 :
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-12-17 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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