像素单元及显示装置
授权
摘要

本发明提供一种像素单元及显示装置。所述像素单元包括一第一以及第二金属层,第一金属层具有一栅极电极以及一第一电极,第二金属层具有一漏极电极、一源极电极、以及一第二电极,漏极电极重叠栅极电极之处为一第一重叠区,源极电极重叠栅极电极之处为一第二重叠区,第二电极重叠第一电极之处为一第三重叠区,所述第一及第二电极的大小相近,并相互错开。本发明的像素单元可应用于显示装置中。由于本发明的储存电容的电容值会随着寄生电容的电容值变化而变化,故可自动补偿寄生电容的电容值因对位误差所产生的偏移,进而固定储存电容的电压变化量。而当储存电容的电压变化量固定时,则可利用调整共通电压的方法,来补偿储存电容的电压变化量。

基本信息
专利标题 :
像素单元及显示装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1825587A
申请号 :
CN200610001277.1
公开(公告)日 :
2006-08-30
申请日 :
2006-01-12
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
王涌锋余良彬董畯豪
申请人 :
广辉电子股份有限公司
申请人地址 :
台湾省桃园县
代理机构 :
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 :
任默闻
优先权 :
CN200610001277.1
主分类号 :
H01L27/02
IPC分类号 :
H01L27/02  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2008-07-23 :
授权
2007-12-26 :
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 广辉电子股份有限公司
变更后权利人 : 友达光电股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 台湾省桃园县
变更后权利人 : 台湾省新竹市
登记生效日 : 20071123
2006-10-25 :
实质审查的生效
2006-08-30 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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