薄膜晶体管基板、液晶显示面板及半穿透半反射型液晶显示器的...
专利权的终止
摘要
一种薄膜晶体管基板，包含透明基板、至少一薄膜晶体管、绝缘层及像素电极。该薄膜晶体管配置于该透明基板上，并包含闸极绝缘膜。该绝缘层配置于该闸极绝缘膜上，并覆盖该薄膜晶体管，其中该绝缘层具有凹凸表面、接触孔及光穿透区域，且该光穿透区域直接位于该闸极绝缘膜上。该像素电极配置于该绝缘层的凹凸表面及该光穿透区域上，并通过该接触孔电性连接于该薄膜晶体管。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管基板、液晶显示面板及半穿透半反射型液晶显示器的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101005051A
申请号 ：
CN200610001616.6
公开（公告）日 ：
2007-07-25
申请日 ：
2006-01-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈泰源林淑惠林小萍
申请人 ：
胜华科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾台中县潭子乡台中加工出口区建国路10号
代理机构 ：
北京润平知识产权代理有限公司
代理人 ：
周建秋
优先权 ：
CN200610001616.6
主分类号 ：
H01L21/84
IPC分类号 ：
H01L21/84 G02F1/1333
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/84
衬底不是半导体的，例如绝缘体
法律状态
2022-01-04 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/84
申请日 : 20060118
授权公告日 : 20091111
终止日期 : 20210118
申请日 : 20060118
授权公告日 : 20091111
终止日期 : 20210118
2009-11-11 ：
授权
2007-09-19 ：
实质审查的生效
2007-07-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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