本发明属于半导体领域。传统LED所带高反镜的为平面板式，侧壁的光不能被利用。本发明的二极管包括：P电极加厚电极(1)，金属高反镜(3)，P电极欧姆接触层(4)，P型半导体(5)，多量子阱有源区(6)，N电极加厚电极(7)，N电极欧姆接触层(8)，N型半导体(9)，衬底(10)；由P型半导体(5)，多量子阱有源区(6)，N型半导体(9)自上而下构成LED的台；出光面是衬底(10)；其特征是在LED侧壁上交替生长高低折射率材料形成多层介质高反膜(2)。本发明的制备方法特征在于，制备出金属高反镜后，在侧壁上制备多层介质高反膜(2)。本发明在做侧壁钝化保护的同时，一次生长多层介质高反膜，工艺简单，光输出至少提高20％。