半绝缘性GaAs晶片及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明通过对由LEC法或纵型熔融液法(VB法、VGF法)得到的GaAs结晶，将晶片的面内位错密度(EPD值)和残留应力值限定在一定范围，可以制造出在离子注入后的活性化退火这样的热处理中不会发生滑动位错的半绝缘性GaAs晶片。本发明可以得到晶片面内的位错密度(EPD)处于3×104个/cm2≤EPD≤1×105个/cm2的范围，并且由光弹性测定得到的晶片面内残留应力值(|Sr－St|)处于小于等于1.8×10－5的范围，而且直径大于等于15.24cm(6英寸)的半绝缘性GaAs晶片。
基本信息
专利标题 ：
半绝缘性GaAs晶片及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1821453A
申请号 ：
CN200610002268.4
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2006-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
矢吹伸司和地三千则大宝幸司
申请人 ：
日立电线株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
钟晶
优先权 ：
CN200610002268.4
主分类号 ：
C30B29/32
IPC分类号 ：
C30B29/32
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/16
氧化物
C30B29/22
复合氧化物
C30B29/32
钛酸盐；锗酸盐；钼酸盐；钨酸盐
法律状态
2019-01-11 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : C30B 29/32
申请日 : 20060127
授权公告日 : 20080625
终止日期 : 20180127
申请日 : 20060127
授权公告日 : 20080625
终止日期 : 20180127
2016-03-30 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101730210196
IPC(主分类) : C30B 29/32
专利号 : ZL2006100022684
登记生效日 : 20160310
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 株式会社赛奥科思
变更后权利人 : 住友化学株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本茨城县
变更后权利人 : 日本东京都
号牌文件序号 : 101730210196
IPC(主分类) : C30B 29/32
专利号 : ZL2006100022684
登记生效日 : 20160310
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 株式会社赛奥科思
变更后权利人 : 住友化学株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本茨城县
变更后权利人 : 日本东京都
2015-09-02 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101720167963
IPC(主分类) : C30B 29/32
专利号 : ZL2006100022684
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 日立金属株式会社
变更后权利人 : 株式会社赛奥科思
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 日本茨城县
登记生效日 : 20150813
号牌文件序号 : 101720167963
IPC(主分类) : C30B 29/32
专利号 : ZL2006100022684
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 日立金属株式会社
变更后权利人 : 株式会社赛奥科思
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 日本茨城县
登记生效日 : 20150813
2015-01-07 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101709663883
IPC(主分类) : C30B 29/32
专利号 : ZL2006100022684
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 日立电线株式会社
变更后权利人 : 日立金属株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 日本东京都
登记生效日 : 20141222
号牌文件序号 : 101709663883
IPC(主分类) : C30B 29/32
专利号 : ZL2006100022684
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 日立电线株式会社
变更后权利人 : 日立金属株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 日本东京都
登记生效日 : 20141222
2008-06-25 ：
授权
2006-10-18 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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