激光设备和用其制造薄膜晶体管的方法
专利申请权、专利权的转移
摘要

一种激光设备包括激光生成单元和强度图案调节单元,该强度图案调节单元包括一对遮光部分和一对半通过部分,其中所述一对半通过部分设置于所述一对遮光部分之间并调节入射激光束的强度。

基本信息
专利标题 :
激光设备和用其制造薄膜晶体管的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1828832A
申请号 :
CN200610002860.4
公开(公告)日 :
2006-09-06
申请日 :
2006-02-07
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
朴喆镐
申请人 :
三星电子株式会社
申请人地址 :
韩国京畿道
代理机构 :
北京市柳沈律师事务所
代理人 :
陶凤波
优先权 :
CN200610002860.4
主分类号 :
H01L21/20
IPC分类号 :
H01L21/20  H01L21/268  H01L21/336  B23K26/06  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积,例如外延生长
法律状态
2012-12-05 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101480957280
IPC(主分类) : H01L 21/20
专利号 : ZL2006100028604
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 三星电子株式会社
变更后权利人 : 三星显示有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道
登记生效日 : 20121105
2010-06-09 :
授权
2006-10-25 :
实质审查的生效
2006-09-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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