薄膜晶体管、有机电致发光显示元件及其制造方法
专利权的终止
摘要

一种薄膜晶体管的制造方法,其包含下列步骤:首先,于基板上形成栅极;之后,于基板上形成栅绝缘层,以覆盖此栅极;接着,于栅绝缘层上形成源极/漏极层,此源极/漏极层暴露出栅极上方之部分的栅绝缘层;继之,于源极/漏极层上形成绝缘层,此绝缘层具有开口,以暴露出栅极上方之部分的栅绝缘层与部分的源极/漏极层;最后,于绝缘层之开口中形成通道层,使通道层与源极/漏极层电连接,且通道层由上述开口中暴露出来。

基本信息
专利标题 :
薄膜晶体管、有机电致发光显示元件及其制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101017782A
申请号 :
CN200610003073.1
公开(公告)日 :
2007-08-15
申请日 :
2006-02-08
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
胡堂祥王怡凯颜精一林宗贤何家充
申请人 :
财团法人工业技术研究院
申请人地址 :
台湾省新竹县竹东镇中兴路四段195号
代理机构 :
北京连和连知识产权代理有限公司
代理人 :
包红健
优先权 :
CN200610003073.1
主分类号 :
H01L21/336
IPC分类号 :
H01L21/336  H01L21/84  H01L29/786  H01L27/32  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2020-02-11 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20060208
授权公告日 : 20090408
终止日期 : 20190208
2009-04-08 :
授权
2007-11-14 :
实质审查的生效
2007-08-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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