利用金属闪光层控制电容器界面特性的方法
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
可以通过在衬底(例如硅)之上沉积金属闪光层(例如Ti)形成电容器。在金属闪光层之上形成电介质层(例如高K电介质)。在电介质层之上形成导电层，使得导电层容性耦接到衬底和/或金属闪光层。可以对该器件退火，使得金属闪光层改变状态，以及使得导电层和衬底和/或金属闪光层之间的电容增加。
基本信息
专利标题 ：
利用金属闪光层控制电容器界面特性的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1841658A
申请号 ：
CN200610004004.2
公开（公告）日 ：
2006-10-04
申请日 ：
2006-01-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
S·戈文达拉詹
申请人 ：
因芬尼昂技术股份公司
申请人地址 ：
德国慕尼黑
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
范赤
优先权 ：
CN200610004004.2
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/28 H01L21/336 H01L21/82 H01L21/8222 H01L21/8242 H01L29/78
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IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2010-03-03 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2008-05-07 ：
授权
2006-12-06 ：
实质审查的生效
2006-10-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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