半导体存储元件的电源开关电路及其电源电压施加方法
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摘要
一种半导体存储器装置中的电源(电压)开关电路，能够减小待机工作模式中的漏泄电流，并且缩短待机模式被切换到工作模式时的唤醒时间。该电源(电压)开关电路包括第一、第二和第三电源开关，分别响应于第一、第二或第三被施加开关控制信号，选择性地输出动态选择的第一、第二和第三电源电压之一作为元件电源电压。第二电源电压高于第一电源电压，第三电源电压低于第一电源电压。元件电源控制单元控制第一、第二和第三开关控制信号的状态，使得在待机状态中以第三(最低)电源电压施加元件电源电压，并且在待机状态被切换到工作状态时，在预定义的时间段内，以第二(最高)电源电压供应元件电源电压，然后以第一电源电压供应元件电源电压。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储元件的电源开关电路及其电源电压施加方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1811986A
申请号 ：
CN200610004969.1
公开（公告）日 ：
2006-08-02
申请日 ：
2006-01-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朴哲成
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
邸万奎
优先权 ：
CN200610004969.1
主分类号 ：
G11C11/417
IPC分类号 ：
G11C11/417 G11C11/419 G11C7/12
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/41
用正反馈形成单元的，即，不需要刷新或电荷再生的单元。例如，双稳态多谐振荡器或施密特触发器
G11C11/413
辅助电路，例如，用于寻址的、译码的、驱动的、写入的、读出的、定时的或省电的
G11C11/417
用于场效应型存储单元的
法律状态
2011-11-09 ：
授权
2008-03-05 ：
实质审查的生效
2006-08-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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