表面改性的FET－型生物传感器
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明提供一种场效应晶体管(FET)型生物传感器，其包括源极、栅极和漏极。向该栅极表面加入能够与核酸侧部结合的配体。在常规FET型生物传感器中，难于在德拜长度内检测到信号，因为目标核酸直接固定于常规FET栅极的表面。然而，在本发明中，通过用能够与核酸侧部结合的配体处理FET传感器的栅极表面，可以克服该问题并且可以增加德拜长度。所述配体可以吸附在栅极的表面。这种情况下，核酸平行而不是垂直地吸附于栅极表面，从而产生有效的耗尽区(depletion region)。另外，可以增加杂交效率，因为杂交样品可以高离子强度注入到FET传感器中。
基本信息
专利标题 ：
表面改性的FET－型生物传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1811398A
申请号 ：
CN200610005056.1
公开（公告）日 ：
2006-08-02
申请日 ：
2006-01-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
沈储暎南宫吉娜柳圭泰郑盛旭朴俊植
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
张平元
优先权 ：
CN200610005056.1
主分类号 ：
G01N27/414
IPC分类号 ：
G01N27/414 G01N33/68 G01N33/543 H01L29/51
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/18
••••由于被试环境物质的热传导变化引起的电阻
G01N27/26
通过测试电化学变量；用电解或电泳法
G01N27/403
电池和电极组件
G01N27/414
对离子敏感的场效应晶体管或化学场效应晶体管，即ISFETS或CHEMFETS
法律状态
2009-11-18 ：
发明专利申请公布后的驳回
2006-09-27 ：
实质审查的生效
2006-08-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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