具有铟掺杂形成的横向掺杂梯度的图像传感器像素
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摘要
本发明公开了一种有源像素，该有源像素的传输门具有掺杂铟的多晶硅门电路。本发明的有源像素包括一位于半导体基体内的感光元件以及一位于该半导体基体内的n－型漂浮节点。具有传输门的n－沟道传输晶体管形成于感光元件与漂浮节点之间。本发明像素的基体具有铟掺杂物的横向掺杂梯度。
基本信息
专利标题 ：
具有铟掺杂形成的横向掺杂梯度的图像传感器像素
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1921129A
申请号 ：
CN200610005411.5
公开（公告）日 ：
2007-02-28
申请日 ：
2006-01-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
霍华德·E·罗德斯
申请人 ：
豪威科技有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
广州三环专利代理有限公司
代理人 ：
戴建波
优先权 ：
CN200610005411.5
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 H01L21/822
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法律状态
2017-10-17 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 27/146
变更事项 : 专利权人
变更前 : 豪威科技有限公司
变更后 : 豪威科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国加利福尼亚州
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变更事项 : 专利权人
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变更前 : 美国加利福尼亚州
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2009-09-30 ：
授权
2007-04-25 ：
实质审查的生效
2007-02-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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