半导体存储器装置的位线电压供应电路及其电压供应方法
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摘要
提供了一种位线电压供应电路，用于减小从位线流到存储器元件的泄漏电流，而基本上不恶化半导体存储器装置的性能。位线电压开关响应于第一开关控制信号而将第一电源电压施加到位线对，并且响应于第二开关控制信号而将其电压低于第一电源电压的第二电源电压施加到该位线对。位线电压控制器控制第一和第二开关控制信号，使得在待机模式期间将第二电源电压供应到位线对，并且当在预定的时间段内，半导体存储器装置从待机模式变至工作模式时，将第一电源电压供应到该位线对。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储器装置的位线电压供应电路及其电压供应方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1811987A
申请号 ：
CN200610006114.2
公开（公告）日 ：
2006-08-02
申请日 ：
2006-01-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朴哲成金永胜
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
邸万奎
优先权 ：
CN200610006114.2
主分类号 ：
G11C11/419
IPC分类号 ：
G11C11/419 G11C7/12
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/41
用正反馈形成单元的，即，不需要刷新或电荷再生的单元。例如，双稳态多谐振荡器或施密特触发器
G11C11/413
辅助电路，例如，用于寻址的、译码的、驱动的、写入的、读出的、定时的或省电的
G11C11/417
用于场效应型存储单元的
G11C11/419
读写电路
法律状态
2011-05-18 ：
授权
2008-03-05 ：
实质审查的生效
2006-08-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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