掺有锑、镓或铋的半导体器件及其制造方法
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摘要
本发明公开了一种半导体存储器件，所述半导体存储期间包括半导体衬底中的第一掺杂剂区域和第二掺杂剂区域，所述第一掺杂剂区域和所述第二掺杂剂区域掺有从包括Sb、Ga和Bi的组中选择的一种。该半导体存储器件包括设置得与所述第一掺杂剂区域和第二掺杂剂区域接触的绝缘层以及设置得与所述绝缘层接触的栅电极层。
基本信息
专利标题 ：
掺有锑、镓或铋的半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1828938A
申请号 ：
CN200610006120.8
公开（公告）日 ：
2006-09-06
申请日 ：
2006-01-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
田尚勋金桢雨黄显相白圣权崔相武
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610006120.8
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/12 H01L21/336 H01L21/24
法律状态
2009-08-19 ：
授权
2008-02-13 ：
实质审查的生效
2006-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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