用于阴极射线管的改进的偏转磁轭

发明专利申请公布后的视为撤回

摘要

一种用于阴极射线管的偏转磁轭提高装配和生产率，并且能够在装置处理期间有效地控制磁场校正。该偏转磁轭包括：水平偏转线圈，位于靠近所述玻锥的外周的位置，用于产生水平偏转磁场；垂直偏转线圈，安装在所述玻锥的外周，用于产生垂直偏转磁场。所述垂直偏转线圈与所述水平偏转线圈绝缘。铁氧体磁芯，位于邻近所述垂直偏转线圈的位置，用于减少所述垂直偏转线圈和水平偏转线圈产生的磁力的损失；校正单元，与所述水平偏转线圈隔开预定距离，用于校正所述垂直偏转磁场和水平偏转磁场的几何失真。

基本信息

专利标题：

用于阴极射线管的改进的偏转磁轭

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1822299A

申请号：

CN200610007390.0

公开（公告）日：

2006-08-23

申请日：

2006-02-13

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

金度年李兰芝南帝旭边昌连金厚得金文镇李相勋

申请人：

三星SDI株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司

代理人：

韩明星

优先权：

CN200610007390.0

主分类号：

H01J29/76

IPC分类号：

H01J29/76 H01J31/20