振荡缓冲器
授权
摘要
本发明提供一种振荡缓冲器，以并联方式耦接振荡源，用以提供预设频率的预设波形给核心电路，核心电路具有多个操作在核心电压的MOS晶体管。振荡缓冲器包括反相器，耦接于核心电压与接地之间，用以放大来自振荡源的输入信号。反相器具有一或多个MOS晶体管，且反相器的MOS晶体管的栅极氧化层的厚度实质上等于核心电路的MOS晶体管的栅极氧化层的厚度。本发明所述的振荡缓冲器简化了振荡缓冲器的制造程序，并减少了成本。
基本信息
专利标题 ：
振荡缓冲器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1825754A
申请号 ：
CN200610007893.8
公开（公告）日 ：
2006-08-30
申请日 ：
2006-02-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈国基
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200610007893.8
主分类号 ：
H03B5/36
IPC分类号 ：
H03B5/36
法律状态
2010-07-21 ：
授权
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-08-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
