双电压三态缓冲器电路

授权

摘要

本发明提供一种双电压三态缓冲器电路，包括三态逻辑控制单元、电平移位器、以及后置驱动器电路。三态逻辑控制单元操作在低供应电压。电平移位器接收来自三态逻辑控制单元的一或多个输入信号，且与输出控制电路一起操作，用以控制电平移位器的两差动输出端。后置驱动器电路具有串联的PMOS晶体管及NMOS晶体管，且由电平移位器的两该差动输出端所驱动。其中，电平移位器、输出控制电路、以及后置驱动器电路操作在高供应电压。当三态逻辑控制单元产生多个输入信号以使后置驱动器电路处于高阻抗状态时，输出控制电路与电平移位器一起操作来关闭PMOS及NMOS晶体管，以使电平移位器隔离于高供应电压。

基本信息

专利标题：

双电压三态缓冲器电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1825767A

申请号：

CN200610007894.2

公开（公告）日：

2006-08-30

申请日：

2006-02-23

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

陈国基陈克明

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所

代理人：

刘新宇

优先权：

CN200610007894.2

主分类号：

H03K19/0185

IPC分类号：

H03K19/0185