半导体晶片洗涤方法及由该方法得到的晶片
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供可有效除去晶片表面的Mg、Ca的半导体晶片的洗涤方法以及由该方法得到的晶片。在该半导体晶片的洗涤方法中，采用具有极弱的蚀刻作用的洗涤液有机碱系洗涤液洗涤后，为了除去晶片表面的Ca、Mg，用高纯度有机溶剂例如异丙醇进行洗涤。
基本信息
专利标题 ：
半导体晶片洗涤方法及由该方法得到的晶片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1832116A
申请号 ：
CN200610008029.X
公开（公告）日 ：
2006-09-13
申请日 ：
2006-02-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
植松锐增山尚司谷毅彦
申请人 ：
日立电线株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
雒纯丹
优先权 ：
CN200610008029.X
主分类号 ：
H01L21/302
IPC分类号 ：
H01L21/302 H01L21/306
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
法律状态
2008-12-10 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-11-08 ：
实质审查的生效
2006-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1832116A.PDF
PDF下载
