改进的双数据速率Ⅱ型动态随机存取存储器数据通路

专利权的终止

摘要

本发明提出支持在存储器阵列和外部数据缓冲器之间交换数据所需的切换操作的技术和电路。在写通路，这种切换操作可以包括对在单个数据缓冲器上顺序接收到的一些数据位进行锁存和汇编，基于存取模式类型(例如交叉存取或顺序存取)对数据位进行重新排序，并基于芯片结构(例如×4，×8，×16)对被访问的存储体位置执行编码操作。在读通路也执行类似的操作(以相反的顺序)，以对待从器件读出的数据进行汇编。

基本信息

专利标题：

改进的双数据速率Ⅱ型动态随机存取存储器数据通路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1825479A

申请号：

CN200610008988.1

公开（公告）日：

2006-08-30

申请日：

2006-01-18

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

K·费基－罗姆德汉S·S·刘

申请人：

因芬尼昂技术股份公司;南亚科技公司

申请人地址：

德国慕尼黑

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

张雪梅

优先权：

CN200610008988.1

主分类号：

G11C11/409

IPC分类号：

G11C11/409 G11C11/4093 G11C11/4096

IPC结构图谱

G部——物理

G11

信息存储

G11C

静态存储器

G11C11/08

应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板

G11C11/21

应用电元件的

G11C11/34

应用半导体器件的

G11C11/40

应用晶体管的

G11C11/401

形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的

G11C11/4063

辅助电路，例如，用于寻址、译码、驱动、写、读出或定时的

G11C11/407

用于场效应型存储单元的

G11C11/409

读写电路

法律状态

2018-03-13 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G11C 11/409
申请日 : 20060118
授权公告日 : 20130501
终止日期 : 20170118

2013-05-01 ：

授权

2006-10-25 ：

实质审查的生效

2006-08-30 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

暂无PDF文件可下载