金属栅/高K栅介质制备工艺及双金属栅CMOS的制备方法
专利权的终止
摘要
本发明提供一种金属栅/高K栅介质的制备方法，属于半导体集成电路及其制造技术领域。该方法包括：对衬底进行预栅工艺处理，然后利用MOCVD或ALD技术淀积Hf基高K栅介质；在淀积的Hf基高K栅介质层上，利用PVD或CVD方法顺序淀积HfN、TaN覆盖层；再利用快速热退火方法对TaN/HfN/Hf基高K栅介质结构进行高温退火，该TaN/HfN结构和高温过程可以在保证低的EOT(＜1nm)的条件下，获得高的可靠性；接着，利用湿法工艺除去TaN/HfN/Hf基高K栅介质结构中的TaN覆盖层和HfN覆盖层；在已去除掉TaN/HfN覆盖层的Hf基高K栅介质层上制备功函数合适的金属栅电极层，最终形成金属栅功函数可调制、EOT＜1nm、具有高迁移率和高可靠性的金属栅/高K栅介质结构。
基本信息
专利标题 ：
金属栅/高K栅介质制备工艺及双金属栅CMOS的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1832113A
申请号 ：
CN200610011368.3
公开（公告）日 ：
2006-09-13
申请日 ：
2006-02-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
康晋锋刘晓彦张兴韩汝琦王阳元
申请人 ：
北京大学
申请人地址 ：
100871北京市海淀区颐和园路5号
代理机构 ：
北京君尚知识产权代理事务所
代理人 ：
贾晓玲
优先权 ：
CN200610011368.3
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 H01L21/336 H01L21/8238
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2016-04-06 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101654738475
IPC(主分类) : H01L 21/28
专利号 : ZL2006100113683
申请日 : 20060224
授权公告日 : 20080820
终止日期 : 20150224
号牌文件序号 : 101654738475
IPC(主分类) : H01L 21/28
专利号 : ZL2006100113683
申请日 : 20060224
授权公告日 : 20080820
终止日期 : 20150224
2008-08-20 ：
授权
2006-11-08 ：
实质审查的生效
2006-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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