CMOS硅发光二极管驱动电路
专利权的终止
摘要
一种CMOS硅发光二极管驱动电路，其特征在于，包括：一输入阻抗匹配电路；一差分信号放大电路，该差分信号放大电路接收输入阻抗匹配电路的信号，该差分信号放大电路将输入小信号进行放大；一源跟随器电路，该源跟随器电路接收差分信号放大电路的信号，该源跟随器电路起到隔离信号和降低电平的作用；一输出电路，该输出电路与源跟随器电路连接，实现差分输入变单端输出，能为光发射二极管提供足够的电压和电流驱动。
基本信息
专利标题 ：
CMOS硅发光二极管驱动电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101034887A
申请号 ：
CN200610011447.4
公开（公告）日 ：
2007-09-12
申请日 ：
2006-03-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈弘达刘海军黄北举
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
100083北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汤保平
优先权 ：
CN200610011447.4
主分类号 ：
H03K17/72
IPC分类号 ：
H03K17/72
法律状态
2013-05-01 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101446753065
IPC(主分类) : H03K 17/72
专利号 : ZL2006100114474
申请日 : 20060308
授权公告日 : 20091223
终止日期 : 20120308
号牌文件序号 : 101446753065
IPC(主分类) : H03K 17/72
专利号 : ZL2006100114474
申请日 : 20060308
授权公告日 : 20091223
终止日期 : 20120308
2009-12-23 ：
授权
2007-11-07 ：
实质审查的生效
2007-09-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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