提高半导体工艺的对准精确度的方法及开口的形成方法

专利权的终止

摘要

一种提高半导体工艺的对准精确度的方法，适用于光刻工艺中，此光刻工艺是针对覆盖有硬掩模的介电层所进行的，其中介电层底下形成有对准标记。其特征在于硬掩模具有一吸收指数及一厚度，且吸收指数与厚度的乘积是在100～750之间。因此，可决定出较佳的厚度范围，以提高对准精确度。

基本信息

专利标题：

提高半导体工艺的对准精确度的方法及开口的形成方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101030048A

申请号：

CN200610019848.4

公开（公告）日：

2007-09-05

申请日：

2006-03-01

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

林思闽

申请人：

联华电子股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

优先权：

CN200610019848.4

主分类号：

G03F9/00

IPC分类号：

G03F9/00 G03F7/20 H01L21/027

IPC结构图谱

G部——物理

G03

摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术

G03F

图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备

G03F9/00

原版、蒙片、片框、照片、图纹表面的对准或定位，例如自动地

法律状态

2012-05-16 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101243918457
IPC(主分类) : G03F 9/00
专利号 : ZL2006100198484
申请日 : 20060301
授权公告日 : 20090415
终止日期 : 20110301

2009-04-15 ：

授权

2007-10-31 ：

实质审查的生效

2007-09-05 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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