一种化合物半导体复合膜
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供了一种化合物半导体材料及其制造工艺，特别涉及一种具有大面积、微结构的化合物半导体复合薄膜。包括具有纳米尺寸的二维半导体材料、一维半导体材料、零维半导体材料及具有阵列点阵的半导体材料。一种半导体复合薄膜的制造工艺，它是利用核径迹蚀刻技术在电介质薄膜上蚀刻出微孔，再在微孔中沉积填充化合物半导体材料。填充方法具有模板法限位生长的特性，又有溶胶凝胶法化合物半导体组成、成分易于控制的特性，并利用电化学生长进行控制的特性。
基本信息
专利标题 ：
一种化合物半导体复合膜
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101034668A
申请号 ：
CN200610024516.5
公开（公告）日 ：
2007-09-12
申请日 ：
2006-03-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
毕明光殷伟军殷小淞毕颖
申请人 ：
毕明光;殷伟军
申请人地址 ：
201800上海市嘉定区桃园新村6号402室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN200610024516.5
主分类号 ：
H01L21/20
IPC分类号 ：
H01L21/20 H01L21/311 H01L29/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
法律状态
2009-11-11 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-09-12 ：
公开
2006-12-20 ：
地址不明的通知
收件人 : 毕明光
文件名称 : 审查业务专用便函
文件名称 : 审查业务专用便函
2006-08-30 ：
地址不明的通知
收件人 : 毕明光
文件名称 : 发明专利申请初步审查合格通知书
文件名称 : 发明专利申请初步审查合格通知书
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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