用于生成数据比特求反标志的电路
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种用于生成数据比特求反标志(DBI)的电路，具有第一求和电流生成部件(32)，用于生成第一求和电流(IAtot)，其幅度与数据组(DB)的两个邻近数据字(DWi；DWi－1)中不同数据比特的数目成比例；第二求和电流生成部件(33)，用于生成第二求和电流(IBtot)，其幅度与所述两个邻近数据字(DWi；DWi－1)中相同数据比特的数目成比例；还具有电流比较器(41)，用于把所生成的两个求和电流(IAtot，IBtot)彼此相比较，并且在第一求和电流(IAtot)大于第二求和电流(IBtot)的情况下，生成数据比特求反标志(DBI)。
基本信息
专利标题 ：
用于生成数据比特求反标志的电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1838316A
申请号 ：
CN200610068248.7
公开（公告）日 ：
2006-09-27
申请日 ：
2006-03-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
T·海因
申请人 ：
英飞凌科技股份公司
申请人地址 ：
德国慕尼黑
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
程天正
优先权 ：
CN200610068248.7
主分类号 ：
G11C11/407
IPC分类号 ：
G11C11/407
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/401
形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的
G11C11/4063
辅助电路，例如，用于寻址、译码、驱动、写、读出或定时的
G11C11/407
用于场效应型存储单元的
法律状态
2009-07-29 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-11-22 ：
实质审查的生效
2006-09-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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