低电阻聚合母体熔断器装置和方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种低电阻熔断器装置和制造方法，包括第一中间绝缘层、第二中间绝缘层和由第一和第二中间绝缘层的每一个单独形成和制成的独立式熔断元件。熔断元件层包括第一和第二接触垫以及在其间延伸的熔线。第一和第二中间绝缘层延伸到独立式熔断元件层的相反侧，并和其间的熔断元件层层叠在一起。
基本信息
专利标题 ：
低电阻聚合母体熔断器装置和方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1848351A
申请号 ：
CN200610073964.4
公开（公告）日 ：
2006-10-18
申请日 ：
2006-02-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
J·L·本德H·P·卡马特瓦林达·K·卡尔拉D·M·曼奥基安P·Y·索
申请人 ：
库帕技术公司
申请人地址 ：
美国德克萨斯州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
原绍辉
优先权 ：
CN200610073964.4
主分类号 ：
H01H85/08
IPC分类号 ：
H01H85/08 H01H85/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01H
电开关；继电器；选择器；紧急保护装置
H01H85/00
电流通过其可熔材料的部分，当此电流过大时，由于可熔材料的熔断而使电流中断的保护装置
H01H85/02
零部件
H01H85/04
熔断器，即保护装置的易耗部分，如熔丝管
H01H85/05
其组成部分
H01H85/055
可熔件
H01H85/08
按可熔件的形状或形式特征区分的
法律状态
2011-11-16 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101208716397
IPC(主分类) : H01H 85/08
专利申请号 : 2006100739644
公开日 : 20061018
号牌文件序号 : 101208716397
IPC(主分类) : H01H 85/08
专利申请号 : 2006100739644
公开日 : 20061018
2008-03-19 ：
实质审查的生效
2006-10-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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