全屏蔽式高压窄脉冲产生装置
专利权的终止
摘要
全屏蔽式高压窄脉冲产生装置，在屏蔽层L1内装有N个相同的充电电阻RN、N个相同的回路充电电阻R(N+1)、R(N+2)——R(N+N)、2N个相同的均压电阻RP、N个相同的电容CN、N个相同的双间隙火化开关SN、一个单间隙火花开关S0和同轴传输件L0。高压电源通过插座XS2给内部电容C充电，触发脉冲通过插座XS1同时将火化开关S触发导通，形成N倍电源电压将火化开关S0过压击穿，通过同轴传输件L0输出ns级的N倍于电源电压的高压脉冲，所述N倍为2－10倍。全屏蔽式结构减少了对外界的电磁干扰，采用同轴传输件L0使得更有利于能量传输，而且性能稳定，安全可靠。
基本信息
专利标题 ：
全屏蔽式高压窄脉冲产生装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200620028860.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2006-06-02
授权号 ：
CN201025701Y
授权日 ：
2008-02-20
发明人 ：
孟范江
申请人 ：
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请人地址 ：
130031吉林省长春市东南湖大路16号
代理机构 ：
长春菁华专利商标代理事务所
代理人 ：
赵炳仁
优先权 ：
CN200620028860.7
主分类号 ：
H03K3/02
IPC分类号 ：
H03K3/02 H03K5/00 H02M9/00
法律状态
2010-09-01 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101005260881
IPC(主分类) : H03K 3/02
专利号 : ZL2006200288607
申请日 : 20060602
授权公告日 : 20080220
号牌文件序号 : 101005260881
IPC(主分类) : H03K 3/02
专利号 : ZL2006200288607
申请日 : 20060602
授权公告日 : 20080220
2008-02-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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