基于超磁致伸缩原理的微结构弯扭疲劳试验装置

专利权的终止(未缴年费专利权终止)

摘要

本实用新型涉及一种基于超磁致伸缩原理的微结构弯扭疲劳试验装置，属于微机电系统技术基础研究领域。本装置主要包括有基底(1)、超磁致复合层伸缩薄膜和“T”型试样(2)，超磁致复合层伸缩薄膜分为三层，中间一层为基片(4)，在基片(4)的上下分别镀有负超磁致伸缩薄膜(3)和正超磁致伸缩薄膜(5)。其中，在基底(1)的中心有一凹槽，超磁致复合层伸缩薄膜设置在该凹槽内，其一端固定在基底(1)上构成悬臂梁，另一端与“T”型试样(2)中间的一端固定连接，“T”型试样(2)的另两端分别固定在基底(1)上。本实用新型使试样处于弯扭的多轴受力环境中，与MEMS典型器件的受力环境相类似，其研究结果具有很高的实用价值。

基本信息

专利标题：

基于超磁致伸缩原理的微结构弯扭疲劳试验装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200620158663.7

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2006-12-01

授权号：

CN200993627Y

授权日：

2007-12-19

发明人：

尚德广刘豪贾冠华李力森王瑞杰

申请人：

北京工业大学

申请人地址：

100022北京市朝阳区平乐园100号

代理机构：

北京思海天达知识产权代理有限公司

代理人：

沈波

优先权：

CN200620158663.7

主分类号：

G01N3/20

IPC分类号：

G01N3/20 G01M19/00