传感器外置式晶体提升装置
其他有关事项(避免重复授权放弃专利权)
摘要

本实用新型涉及直拉式晶体生长炉的晶体驱动装置,旨在提供一种传感器外置式晶体提升装置。其晶升部件包括慢速电机组件、快速电机、同步带组件、柔性连轴器、光电编码器、前级蜗轮蜗杆减速器、后级蜗轮蜗杆减速器、刚性连轴器、限位块、配重块、平衡臂、支架、称重腔、提升腔、晶升底板和电气盒;晶转部件包括多碶带组件、导电滑环、晶转磁流体、电机支架和晶转电机。本实用新型大幅度提高了晶体提升装置可靠性,改善了晶体提升装置负载性能,以及晶体提升与回转速度控制精度与平稳性,并适应晶体提升过程全自动控制。装备该晶体提升装置的晶体生长炉可以实现全自动控制,其晶体产品完整性与均匀性都非常好,能够完全达到IC电路对单晶材料要求。

基本信息
专利标题 :
传感器外置式晶体提升装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200620173106.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2006-12-16
授权号 :
CN200992593Y
授权日 :
2007-12-19
发明人 :
曹建伟朱亮邱敏秀黄家海
申请人 :
杭州慧翔电液技术开发有限公司
申请人地址 :
310013浙江省杭州市西湖区玉古路149号310室
代理机构 :
杭州中成专利事务所有限公司
代理人 :
唐银益
优先权 :
CN200620173106.2
主分类号 :
C30B15/30
IPC分类号 :
C30B15/30  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/30
转动或移动熔体或晶体的机构
法律状态
2009-03-25 :
其他有关事项(避免重复授权放弃专利权)
放弃生效日 : 2009211
2008-03-19 :
实用新型专利公报更正
号 : 51
卷 : 23
页码 : 无
更正项目 : 共同专利权人
误 : 无
正 : 上虞晶盛机电工程有限公司
2008-03-19 :
实用新型专利说明书更正
号 : 51
卷 : 23
页码 : 扉页
更正项目 : 共同专利权人
误 : 无
正 : 上虞晶盛机电工程有限公司
2007-12-19 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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