锂离子二次电池及其制造方法
授权
摘要
公开了一种锂离子二次电池，其中：在正极和负极中至少一个电极的活性材料层或隔离片上载有多孔绝缘层，并且载有多孔绝缘层的活性材料层或隔离片的表面上形成有第一区域和第二区域，其中，多孔绝缘层形成在第一区域中；第二区域含有多个不连续有缺陷孔洞，其上没有形成多孔绝缘层。当从多个有缺陷孔洞部分中选择一个给定的参照的有缺陷孔洞部分时，以及当一个面积为参照的有缺陷孔洞部分的10倍的给定圆设置在活性材料层或隔离片的表面上时，被该圆所围绕的第二区域的面积不小于10μm2，且不大于100mm2。
基本信息
专利标题 ：
锂离子二次电池及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101006595A
申请号 ：
CN200680000460.8
公开（公告）日 ：
2007-07-25
申请日 ：
2006-02-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
藤川万郷西野肈岛田干也
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本国大阪府
代理机构 ：
上海市华诚律师事务所
代理人 ：
孙敬国
优先权 ：
CN200680000460.8
主分类号 ：
H01M4/02
IPC分类号 ：
H01M4/02 H01M4/04 H01M2/16 H01M10/40
法律状态
2009-09-16 ：
授权
2007-09-19 ：
实质审查的生效
2007-07-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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