LDMOS晶体管
专利权的终止
摘要
一种LDMOS半导体晶体管结构，包括：具有第一导电类型的外延层(150)的基板(160)；从该外延层表面延伸的第二导电类型的源极区域(114)；在该外延层内的第二导电类型的轻掺杂漏极区域(136)；正好位于该源极和漏极区域之间的沟道(118)；以及布置在该沟道上方的在绝缘层内的栅极(120)，其中该轻掺杂漏极区域包括第一导电类型的袋区(138)，其中该袋区(138)从该外延层的表面延伸到该外延层内，覆盖毗邻该栅极的轻掺杂漏极区域的端部。
基本信息
专利标题 ：
LDMOS晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101099242A
申请号 ：
CN200680001849.4
公开（公告）日 ：
2008-01-02
申请日 ：
2006-01-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
G·马
申请人 ：
英飞凌科技股份公司
申请人地址 ：
德国新比贝格
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
张雪梅
优先权 ：
CN200680001849.4
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/10 H01L29/08 H01L29/36 H01L21/336 H01L29/41
法律状态
2019-12-20 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20060105
授权公告日 : 20100127
终止日期 : 20190105
申请日 : 20060105
授权公告日 : 20100127
终止日期 : 20190105
2010-01-27 ：
授权
2008-02-27 ：
实质审查的生效
2008-01-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
