使用剪切应力的增强型PFET
专利申请权、专利权的转移
摘要
一种半导体器件结构，包括：栅极结构，布置在衬底的一部分上；源极和漏极区域，布置为与该一部分相邻，以便在该一部分中形成沟道区域；以及沟槽隔离区域，其位置与源极和漏极区域紧紧相邻。沟槽隔离区域的至少某些部分包括应力材料，使得该材料在沟道区域中产生剪切应力。
基本信息
专利标题 ：
使用剪切应力的增强型PFET
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101103462A
申请号 ：
CN200680001974.5
公开（公告）日 ：
2008-01-09
申请日 ：
2006-01-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
D·奇达姆巴拉奥
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约阿芒克
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
王茂华
优先权 ：
CN200680001974.5
主分类号 ：
H01L29/00
IPC分类号 ：
H01L29/00
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法律状态
2017-12-05 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 29/00
登记生效日 : 20171115
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约阿芒克
变更后权利人 : 美国纽约
登记生效日 : 20171115
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约阿芒克
变更后权利人 : 美国纽约
2017-12-05 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 29/00
登记生效日 : 20171115
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更后权利人 : 格芯公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 开曼群岛大开曼岛
登记生效日 : 20171115
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更后权利人 : 格芯公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 开曼群岛大开曼岛
2012-01-11 ：
授权
2008-02-27 ：
实质审查的生效
2008-01-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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