六氯化二硅的精制方法和高纯度六氯化二硅
授权
摘要
本发明的目的在于提供从含有硅烷醇作为杂质的六氯化二硅原料中高效地除去硅烷醇，得到高纯度的六氯化二硅的方法。本发明的六氯化二硅的精制方法具有使含有六氯化二硅和作为杂质的硅烷醇的六氯化二硅原料与活性炭等吸附材料接触，将硅烷醇除去的工序。可以还具有进行蒸馏的工序。上述各工序优选在惰性气体气氛下进行。
基本信息
专利标题 ：
六氯化二硅的精制方法和高纯度六氯化二硅
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101107196A
申请号 ：
CN200680002738.5
公开（公告）日 ：
2008-01-16
申请日 ：
2006-03-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
石川幸二铃木浩木全良典
申请人 ：
东亚合成株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王健
优先权 ：
CN200680002738.5
主分类号 ：
C01B33/107
IPC分类号 ：
C01B33/107
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/08
含卤素的化合物
C01B33/107
卤化硅烷
法律状态
2011-03-30 ：
授权
2008-03-05 ：
实质审查的生效
2008-01-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN101107196A.PDF
PDF下载
2、
CN101107196B.PDF
PDF下载
