硅气体注射器及其制造方法

专利申请权、专利权的转移

摘要

一种可用于批式热处理炉(batch thermal treatment oven)中的气体注射器套管(40)，其包含两个硅壳层(54、56)，所述壳层利用由微致的硅粉与可固化的氧化硅形成剂(curable silica－forming agent)所形成的黏着剂而接合在一起，该黏着剂例如为经过超音波均质化的旋涂玻璃。该套管在其末端上可具有一气体出口(52)，或可由硅盖件(86)所密封，且该套管在其侧边上具有侧面出口孔洞(84)。该硅注射器套管可与一硅塔(silicon tower)以及一硅衬垫结合使用，使得位于炉热区中的所有主体部分(bulk parts)是由硅所形成。

基本信息

专利标题：

硅气体注射器及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101321890A

申请号：

CN200680004839.6

公开（公告）日：

2008-12-10

申请日：

2006-02-13

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

拉南·扎哈维里斯·雷诺兹

申请人：

统合材料股份有限公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司

代理人：

徐金国

优先权：

CN200680004839.6

主分类号：

C23C16/00

IPC分类号：

C23C16/00 F16K51/00 B32B37/00

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C23

对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制

C23C

对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆

C23C16/00

通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺

法律状态

2022-02-25 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : C23C 16/00
登记生效日 : 20220215
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 磁性流体技术(美国)集团公司
变更后权利人 : 杭州盾源聚芯半导体科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国加利福尼亚州
变更后权利人 : 浙江省杭州市滨江区滨康路668号C幢

2012-11-07 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101458743081
IPC(主分类) : C23C 16/00
专利号 : ZL2006800048396
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 统合材料股份有限公司
变更后权利人 : 磁性流体技术(美国)集团公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国加利福尼亚州
变更后权利人 : 美国加利福尼亚州
登记生效日 : 20120925

2012-09-05 ：

授权

2009-02-04 ：

实质审查的生效

2008-12-10 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

暂无PDF文件可下载