全固态紫外线激光器系统
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及全固态紫外线激光器系统，这种全固态紫外线激光器系统包括呈VECSEL构造的至少一个半导体激光器(10)。这种半导体激光器(10)中的增益结构(3)发射以一种波长范围的基频辐射，这种波长范围可被倍频至该紫外线区域中的波长。用非线性光学晶体(6)来实现这种倍频，这种非线性光学晶体(6)用于产生二次谐波并布置在半导体激光器(10)的外延腔中。通过半导体激光器的电泵浦，可用公知的半导体材料如GaN来有效地产生低于200nm的波长。激光器系统更加紧凑并可以用低于光泵浦半导体激光器的成本制造。所提出的紫外线激光器系统既紧凑又可以用低于紫外线受激准分子激光器的成本制造和操作。
基本信息
专利标题 ：
全固态紫外线激光器系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101120493A
申请号 ：
CN200680005268.8
公开（公告）日 ：
2008-02-06
申请日 ：
2006-02-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
U·韦克曼H·莫恩克
申请人 ：
皇家飞利浦电子股份有限公司
申请人地址 ：
荷兰艾恩德霍芬
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
李亚非
优先权 ：
CN200680005268.8
主分类号 ：
H01S5/183
IPC分类号 ：
H01S5/183 H01S5/343 H01S5/14 H01S3/109
法律状态
2008-10-22 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-02-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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