形成用于CMOS器件的自对准的双氮化硅衬垫的方法
专利权的视为放弃
摘要
形成用于CMOS器件自对准的双氮化硅衬垫的方法，包括在第一极性类型器件(102)和第二极性类型器件(104)上形成第一类型氮化物层(116)，以及在第一氮化物层(116)上形成形貌层(118)。图案化并除去所述第一类型氮化物层(116)和所述形貌层(118)在所述第二极性类型器件(104)上的部分；在第二极性类型器件(104)上以及在形貌层(118)在第一极性类型器件(102)上的剩余部分上形成第二类型氮化物层(120)，从而限定沿形貌层(118)的侧壁的第二类型氮化物材料的立柱(124)，第二类型氮化物层(120)与第一类型氮化物层(116)的侧壁接触。除去形貌层(118)并除去立柱(124)。
基本信息
专利标题 ：
形成用于CMOS器件的自对准的双氮化硅衬垫的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101133481A
申请号 ：
CN200680006657.2
公开（公告）日 ：
2008-02-27
申请日 ：
2006-02-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
托马斯·W.·戴尔杨海宁
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN200680006657.2
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2010-11-03 ：
专利权的视为放弃
号牌文件类型代码 : 1606
号牌文件序号 : 101012883316
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利申请号 : 2006800066572
放弃生效日 : 20080227
号牌文件序号 : 101012883316
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利申请号 : 2006800066572
放弃生效日 : 20080227
2008-04-23 ：
实质审查的生效
2008-02-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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