含有全氟醚酰基低聚噻吩化合物的半导体
专利权的终止
摘要
本发明描述了半导体器件，其包括含有全氟醚酰基低聚噻吩化合物、优选α，ω－双－全氟醚酰基低聚噻吩化合物的半导体层。此外，描述了制造半导体器件的方法，包括沉积包括含有全氟醚酰基低聚噻吩化合物、优选α，ω－双(2－全氟醚酰基)低聚噻吩化合物的半导体层。
基本信息
专利标题 ：
含有全氟醚酰基低聚噻吩化合物的半导体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101137693A
申请号 ：
CN200680007702.6
公开（公告）日 ：
2008-03-05
申请日 ：
2006-02-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
克里斯托弗·P·格拉赫戴维·A·恩代尔丹尼斯·E·沃格尔
申请人 ：
3M创新有限公司
申请人地址 ：
美国明尼苏达州
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
郭国清
优先权 ：
CN200680007702.6
主分类号 ：
C08G61/12
IPC分类号 ：
C08G61/12 C07D333/28 C07D333/22 H01L51/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C08
有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物
C08G
用碳-碳不饱和键以外的反应得到的高分子化合物
C08G61/00
由在高分子主链中形成碳-碳键合的反应得到的高分子化合物
C08G61/12
在高分子主链上含有碳原子以外原子的高分子化合物
法律状态
2018-03-13 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : C08G 61/12
申请日 : 20060223
授权公告日 : 20120704
终止日期 : 20170223
申请日 : 20060223
授权公告日 : 20120704
终止日期 : 20170223
2012-07-04 ：
授权
2008-04-30 ：
实质审查的生效
2008-03-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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