通过用液态Zn还原SiCl4制备S...
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及作为用于生产例如结晶硅太阳能电池的基材的高纯度硅的制造方法。通过将气态SiCl4与液态Zn接触，将SiCl4转化成Si金属，从而获得分离的含Si合金和氯化锌。然后将含Si合金在高于Zn的沸点的温度下纯化。这种工艺不要求复杂的技术，并保留对于最终产品中SiCl4的高纯度，因为唯一的反应物是Zn，其可以获得很高的纯度级别并连续再循环。
基本信息
专利标题 ：
通过用液态Zn还原SiCl4制备Si的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101146743A
申请号 ：
CN200680009280.6
公开（公告）日 ：
2008-03-19
申请日 ：
2006-03-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
埃里克·罗伯特贾科·吉尔莱玛
申请人 ：
尤米科尔公司
申请人地址 ：
比利时布鲁塞尔
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
梁晓广
优先权 ：
CN200680009280.6
主分类号 ：
C01B33/033
IPC分类号 ：
C01B33/033 C01B33/037 C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/02
硅
C01B33/021
制备
C01B33/027
使用除二氧化硅或含二氧化硅物料以外的气态或汽化的硅化合物的分解或还原
C01B33/033
使用金属或金属合金作为惟一还原剂的卤化硅或卤代硅烷的还原
法律状态
2012-05-02 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101341926197
IPC(主分类) : C01B 33/033
专利申请号 : 2006800092806
公开日 : 20080319
号牌文件序号 : 101341926197
IPC(主分类) : C01B 33/033
专利申请号 : 2006800092806
公开日 : 20080319
2008-05-14 ：
实质审查的生效
2008-03-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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