等离子体生成装置中的微滴除去装置和微滴除去方法
授权
摘要
能可靠地分离从电弧放电部行进的等离子体与微滴，能可靠地除去微滴。提供可防止微滴到达被处理物的等离子体生成装置中的微滴除去装置。形成等离子体(P)与微滴(D)在混合状态下行进的筒状行进路(3)，在筒状行进路(3)内设置了1个以上的在偏心位置上具有通过孔(6a)的孔窗(6)，在筒状行进路(3)的外周配置了用于使等离子体(P)通过孔窗(6)的偏心通过孔(6a)的磁场发生单元，利用基于该磁场发生单元的磁场，使等离子体(P)在筒状行进路(3)内弯曲地通过孔窗(6)的偏心通过孔(6a)，在弯曲时使微滴(D)与孔窗(6)的壁面碰撞而将其除去。
基本信息
专利标题 ：
等离子体生成装置中的微滴除去装置和微滴除去方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101146926A
申请号 ：
CN200680009356.5
公开（公告）日 ：
2008-03-19
申请日 ：
2006-03-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
椎名祐一
申请人 ：
日本磁性技术株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王永刚
优先权 ：
CN200680009356.5
主分类号 ：
C23C14/32
IPC分类号 ：
C23C14/32
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
C23C14/32
爆炸法；蒸发及随后的气化物电离法
法律状态
2010-07-21 ：
授权
2008-05-14 ：
实质审查的生效
2008-03-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN101146926B.PDF
PDF下载
2、
CN101146926A.PDF
PDF下载
