低成本大量引线框生产
授权
摘要
本发明提供一种用于制作引线框(100)的方法，其包括：在引线框材料(108)中形成多个外部引线(122)；在所述引线框材料的所有表面上镀敷金属；以及随后在所述引线框材料中形成多个内部引线(124)。所述引线框材料可由连续金属薄片卷绕在第一线圈上的一部分组成，其中将所述连续金属薄片馈入到外部引线冲压设备中，因此形成所述外部引线(122)，并将其卷绕到第二线圈上。在形成所述多个内部引线(124)之前，将所述部分馈入到镀敷设备中并给其镀敷所述金属，且将其卷绕到第三线圈上。可将所述第三线圈退卷到内部引线冲压设备中，因此形成引线框(100)的所述内部引线(124)。清洁所述引线框(100)且随后将其卷绕到第四线圈上以便切割成多个薄片。
基本信息
专利标题 ：
低成本大量引线框生产
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101160648A
申请号 ：
CN200680012837.1
公开（公告）日 ：
2008-04-09
申请日 ：
2006-02-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
唐纳德·C·阿博特
申请人 ：
德州仪器公司
申请人地址 ：
美国得克萨斯州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
刘国伟
优先权 ：
CN200680012837.1
主分类号 ：
H01L21/50
IPC分类号 ：
H01L21/50 H01L21/48 H01L21/44 H01L23/495
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
法律状态
2009-07-15 ：
授权
2008-06-04 ：
实质审查的生效
2008-04-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
