微型记忆转接卡结构改良

专利权的终止

摘要

本实用新型涉及一种微型记忆转接卡结构改良，属于机电类。它是由本体及盖片所组成，该本体的一侧嵌设有盖片，该本体内设有容置槽，该容置槽装设有传导端子，该传导端子分别设为导通端子及接触端子，其中，传导端子的导通端子及接触端子一体成型，传导端子卡合于本体内，藉此，便可达到方便装设，且可达到良好的导通性，又可节省制造成本。优点在于：传导端子一体成型，可达到良好的导通性，减少了制造成本，节省加工时间，且方便使用，实用性强。

基本信息

专利标题：

微型记忆转接卡结构改良

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200720001628.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2007-01-24

授权号：

CN201025639Y

授权日：

2008-02-20

发明人：

刘明仁

申请人：

硕民企业有限公司

申请人地址：

中国台湾桃园县

代理机构：

吉林长春新纪元专利代理有限责任公司

代理人：

单兆全

优先权：

CN200720001628.9

主分类号：

H01R12/16

IPC分类号：

H01R12/16 H01R12/32 H01R31/06 G06K17/00