一种MOSFET过压保护装置
专利权的终止
摘要
本实用新型是一种MOSFET过压保护装置，MOSFET(14)的漏极(2)与二极管(13)的正极(4)和电阻第一极(5)相连接；二极管(13)的负极(3)与电阻第二极(6)和电容第一极(7)相接；电容第二极(8)与MOSFET(14)的源极(1)相连接。本装置可以保护MOSFET的漏极和源极之间避免被击穿，达到了提高可靠性的目的。
基本信息
专利标题 ：
一种MOSFET过压保护装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200720028645.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2007-09-30
授权号 ：
CN201113945Y
授权日 ：
2008-09-10
发明人 ：
陈玉新
申请人 ：
烟台奔腾汽车检测维修设备制造有限公司
申请人地址 ：
264006山东省烟台市烟台开发区五指山路1号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN200720028645.1
主分类号 ：
H03K17/08
IPC分类号 ：
H03K17/08
法律状态
2012-11-28 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101355720832
IPC(主分类) : H03K 17/08
专利号 : ZL2007200286451
申请日 : 20070930
授权公告日 : 20080910
终止日期 : 20110930
号牌文件序号 : 101355720832
IPC(主分类) : H03K 17/08
专利号 : ZL2007200286451
申请日 : 20070930
授权公告日 : 20080910
终止日期 : 20110930
2008-09-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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