一种半导体热电性能测试仪

专利权的终止

摘要

本实用新型涉及一种半导体热电性能测试仪，其特征在于包含提供中温环境的加热设备、氧化铝样品台、微热源、紫铜样品夹具、测试导线和热电偶与夹具及样品连接后与波发生器、数据采集仪及计算机连接。本实用新型装置的优点在于：可测电导率、Seebeck系数及ZT值，装置简单实用、成本低、测温范围为室温至600℃，操作方便，测试功能多，测试精度高，重复性好。

基本信息

专利标题：

一种半导体热电性能测试仪

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200720067899.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2007-03-16

授权号：

CN201016950Y

授权日：

2008-02-06

发明人：

蔡克峰张爱霞严冲贺香荣

申请人：

同济大学

申请人地址：

200092上海市杨浦区四平路1239号

代理机构：

上海光华专利事务所

代理人：

余明伟

优先权：

CN200720067899.4

主分类号：

G01N27/18

IPC分类号：

G01N27/18

IPC结构图谱

G部——物理

G01

测量；测试

G01N

借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料

G01N27/18

••••由于被试环境物质的热传导变化引起的电阻

法律状态

2012-05-23 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101248740480
IPC(主分类) : G01N 27/18
专利号 : ZL2007200678994
申请日 : 20070316
授权公告日 : 20080206
终止日期 : 20110316

2008-02-06 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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