一种半桥MOS栅极晶体管驱动电路

专利权的终止

摘要

本实用新型涉及一种半桥MOS栅极晶体管驱动电路，属于电子领域。高端驱动辅助电源与高端驱动电路连接，低端驱动辅助电源与低端驱动电路连接，高端驱动电路与高端MOS栅极功率开关连接，低端驱动电路与低端MOS栅极功率开关连接。优点是结构新颖，通过正负电源变换电路为高端驱动电路提供负电源，整个驱动电路仅需1路正10V～20V和1路负10V～20V和一路电源。这样，在工程上大大减少了控制变压器体积和电源数目，降低了产品成本，提高了系统可靠性。

基本信息

专利标题：

一种半桥MOS栅极晶体管驱动电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200720094413.6

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2007-09-28

授权号：

CN201118535Y

授权日：

2008-09-17

发明人：

王自力孙大军司崇占梁一子张海龙王志成赵萌

申请人：

吉林大学中日联谊医院;王自力;孙大军;梁一子

申请人地址：

130033吉林省长春市仙台大街126号

代理机构：

吉林长春新纪元专利代理有限责任公司

代理人：

魏征骥

优先权：

CN200720094413.6

主分类号：

H03K17/687

IPC分类号：

H03K17/687

法律状态

2011-01-05 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101029337940
IPC(主分类) : H03K 17/687
专利号 : ZL2007200944136
申请日 : 20070928
授权公告日 : 20080917
终止日期 : 20091028

2009-02-04 ：

著录事项变更

变更事项 : 发明人
变更前 : 王自力;任祖春;孙大军;司崇占;梁一子;张海龙;王志成;赵萌
变更后 : 王自力;孙大军;任祖春;司崇占;梁一子;张海龙;王志成;赵萌

2009-01-21 ：

著录事项变更

变更事项 : 发明人
变更前 : 王自力;孙大军;司崇占;梁一子;张海龙;王志成;赵萌
变更后 : 王自力;任祖春;孙大军;司崇占;梁一子;张海龙;王志成;赵萌

2008-09-17 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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