带平面螺旋电感的CMOS硅光电探测器

专利权的终止

摘要

本实用新型涉及一种带平面螺旋电感的CMOS硅光电探测器包括一个P型衬底；一个制作在P型衬底上的N阱以及N阱接触区；一个制作在N阱周围的p+保护环；一个制作在N阱上的引出电极，为CMOS硅光电探测器的负极；一个制作在N阱中的螺旋状p+注入区以及制作在螺旋状p+注入区中的接触区；一个制作在螺旋状p+注入区上并成为平面螺旋电感的螺旋状金属引出电极，为CMOS硅光电探测器的正极。本实用新型能够大大提高光接收机的带宽，进而可实现高速、高灵敏度的CMOS光电集成接收机。

基本信息

专利标题：

带平面螺旋电感的CMOS硅光电探测器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200720098995.5

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2007-12-18

授权号：

CN201188423Y

授权日：

2009-01-28

发明人：

毛陆虹肖新东余长亮

申请人：

天津大学

申请人地址：

300384天津市南开区卫津路92号天津大学

代理机构：

天津市北洋有限责任专利代理事务所

代理人：

江镇华

优先权：

CN200720098995.5

主分类号：

H01L27/144

IPC分类号：

H01L27/144