带平面螺旋电感的CMOS硅光电探测器
专利权的终止
摘要
本实用新型涉及一种带平面螺旋电感的CMOS硅光电探测器包括一个P型衬底;一个制作在P型衬底上的N阱以及N阱接触区;一个制作在N阱周围的p+保护环;一个制作在N阱上的引出电极,为CMOS硅光电探测器的负极;一个制作在N阱中的螺旋状p+注入区以及制作在螺旋状p+注入区中的接触区;一个制作在螺旋状p+注入区上并成为平面螺旋电感的螺旋状金属引出电极,为CMOS硅光电探测器的正极。本实用新型能够大大提高光接收机的带宽,进而可实现高速、高灵敏度的CMOS光电集成接收机。
基本信息
专利标题 :
带平面螺旋电感的CMOS硅光电探测器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200720098995.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2007-12-18
授权号 :
CN201188423Y
授权日 :
2009-01-28
发明人 :
毛陆虹肖新东余长亮
申请人 :
天津大学
申请人地址 :
300384天津市南开区卫津路92号天津大学
代理机构 :
天津市北洋有限责任专利代理事务所
代理人 :
江镇华
优先权 :
CN200720098995.5
主分类号 :
H01L27/144
IPC分类号 :
H01L27/144
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法律状态
2012-02-29 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101191540506
IPC(主分类) : H01L 27/144
专利号 : ZL2007200989955
申请日 : 20071218
授权公告日 : 20090128
终止日期 : 20101218
号牌文件序号 : 101191540506
IPC(主分类) : H01L 27/144
专利号 : ZL2007200989955
申请日 : 20071218
授权公告日 : 20090128
终止日期 : 20101218
2009-01-28 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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