半导体发光器件寿命加速试验装置

专利权的终止

摘要

半导体发光器件寿命加速试验装置，属于半导体发光器件和应用产品的测试领域。现有技术存在操作复杂、测量结果不准确的缺陷，本实用新型包括温控箱、设于温控箱内的试验样品支承座以及光传输器，所述光传输器的一端为采集端，采集端与支承座配合设置，所述的光传输器的另一端为测量端，该测量端与测光仪相连，通过设置光传输器使得在实验升温工程中可直接用测光仪测得试验样品的光功率或光通量，避免了反复取放、升降温过程带来的测量误差，操作方便。

基本信息

专利标题：

半导体发光器件寿命加速试验装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200720107239.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2007-03-13

授权号：

CN201017022Y

授权日：

2008-02-06

发明人：

牟同升

申请人：

杭州浙大三色仪器有限公司

申请人地址：

310013浙江省杭州市西溪路525号浙大科技园西区A座225室

代理机构：

浙江翔隆专利事务所

代理人：

戴晓翔

优先权：

CN200720107239.4

主分类号：

G01R31/26

IPC分类号：

G01R31/26