本实用新型公开了一种超快恢复二极管芯片，包括硅片，其特征在于所述的硅片上、下表面均设有与硅片热膨胀系相似材料的衬片。本实用新型的超快恢复二极管芯片，具有以下优点：1.增强芯片的机械强度，保护芯片，使芯片不易破碎。2.减小芯片在后道封装过程中的应力，所用衬片与硅片有相似的热膨胀系数，能有效缓冲芯片与下面所焊的底板间的应力。3.增加衬片能有效均匀分布电流，使工作电流较均匀地通过整个芯片的横截面，提高芯片的性能。4.提高工作电流，减小反向恢复时间。所述上、下衬片采用金属化的陶瓷片或氧化铍片。所述硅片与上、下衬片采用铅锡合金熔接。所述硅片的周边也采用铅锡合金熔接封闭。