一种上电延时电路
专利权的终止
摘要

本实用新型适用于供电电路领域,提供了一种上电延时电路,包括MOS管,所述电路还包括热敏电阻,与供电电压输入端及输出端连接;分压电阻R(2)、R(4),与所述热敏电阻与输出端的连接点连接,进行分压;三极管,b极与所述分压电阻R(2)、R(4)的连接点连接,e极接地;以及分压电阻R(5)、R(6),与所述三极管的c极连接,将进行分压后的电压传输给所述MOS管。本实用新型的上电延时电路采用热敏电阻、三极管及分压电阻,在分压后的电压达到三极管的导通电压,并MOS管的电压达到导通电压时使输入电压经MOS管传输到输出端,从而利用硬件实现了上电延时,解决现有的上电延时电路成本高、占用系统资源的问题。

基本信息
专利标题 :
一种上电延时电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200720120453.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2007-05-31
授权号 :
CN201044435Y
授权日 :
2008-04-02
发明人 :
聂湖清
申请人 :
深圳创维-RGB电子有限公司
申请人地址 :
518057广东省深圳市南山区高新南一道创维大厦A13-16
代理机构 :
深圳中一专利商标事务所
代理人 :
张全文
优先权 :
CN200720120453.3
主分类号 :
H03K17/284
IPC分类号 :
H03K17/284  
法律状态
2016-07-20 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101671097581
IPC(主分类) : H03K 17/284
专利号 : ZL2007201204533
申请日 : 20070531
授权公告日 : 20080402
终止日期 : 20150531
2008-04-02 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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