发光二极管芯片、侧边入光式背光模组与直下式背光模组

专利权的终止

摘要

本实用新型涉及一种发光二极管芯片，包括一反射层、一第一型半导体层、一主动层、一第二型半导体层、一第一电极层、一第二电极层与一滤光结构。其中，第一型半导体层配置于反射层上，而主动层配置于第一型半导体层与第二型半导体层之间。此外，第一电极层与第一型半导体层电性连接，且第二电极层配置于第二型半导体层上。另外，滤光结构配置于第二电极层上。该滤光结构可将波长为450～525nm的光线反射，而使得发光二极管芯片能提供高纯度的光源。

基本信息

专利标题：

发光二极管芯片、侧边入光式背光模组与直下式背光模组

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200720138604.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2007-08-06

授权号：

CN201112409Y

授权日：

2008-09-10

发明人：

武东星何忠兴王耀东林佳锋庄赋祥

申请人：

中华映管股份有限公司

申请人地址：

中国台湾台北市中山北路三段二十二号

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

左一平

优先权：

CN200720138604.8

主分类号：

H01L33/00

IPC分类号：

H01L33/00 G02F1/13357

法律状态

2017-09-26 ：

专利权的终止

专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101749621568
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2007201386048
申请日 : 20070806
授权公告日 : 20080910
终止日期 : 无

2013-08-07 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101648253511
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2007201386048
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中华映管股份有限公司
变更后权利人 : 华映科技(集团)股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 中国台湾台北市中山北路三段二十二号
变更后权利人 : 350000 福建省福州市马尾区儒江西路6号1号楼第三、四层
登记生效日 : 20130718

2008-09-10 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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